本文標(biāo)題："晶圓顯微鏡廠商-光學(xué)顯微鏡檢測電極蝕刻結(jié)果實(shí)驗(yàn)"
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蝕刻法于晶圓上制作電極圖形(pattern)，并以光學(xué)顯微鏡檢測電極蝕刻結(jié)果
實(shí)驗(yàn)步驟
（1） 取出晶圓右上方部分，先將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片，洗去第一次微影之光阻圖形。
（2） 將晶片表面以 PVD 方式濺鍍上金屬層(Cr)
（3） 以簡易清洗方式清洗濺鍍完之晶圓。
（4） 依 Lab1 的方式上光阻微影，將光罩右上角圖形轉(zhuǎn)移至晶圓光阻上。
（5） 以光學(xué)顯微鏡將圖中圈起部分（2 處）以 OM 照下來，并量測微影后特征尺寸的寬度。以檢驗(yàn)第二次微影結(jié)果。
（6） 將微影完成之晶圓置于玻璃皿倒入鉻蝕刻液，以進(jìn)行電極蝕刻
（7） 金屬蝕刻完成后，將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片，洗去微影之光阻圖形。
（8） 再利用光學(xué)顯微鏡(OM)將圖 1 圈選處（2 處），以 OM 拍攝電極蝕刻結(jié)果，
并量測特征尺寸的寬度。注意每張 OM 照片上都必須標(biāo)示比例尺
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