本文標題："光學顯微鏡對焦工件測量邊緣區域-上光儀器"

我們透過光學顯微鏡監視洗淨后的邊緣偏移區域。圖三顯示晶圓邊緣的SEM截面圖。由于光學顯微鏡沒有對焦在邊緣區域，因此僅在晶圓的平坦區域量測邊緣蝕刻的距離。

因素效應：圖四顯示各種因素效應對溼式邊緣蝕刻的影響，表一列出田口法L9 DOE的各項因素。根據我們的觀察，在特定的化學制劑下，晶圓轉速對斜邊邊緣距離有大的影響力。

轉速與0.35至1.2mm邊緣偏移區域，兩者之間呈現線性比例關系。在溼式邊緣與邊緣偏移區域方面，則與晶圓轉速呈反比關系，轉速與向心力的變化有直接關連。

隨著轉速增加，旋轉力逐漸下降，意謂著化學制劑與晶圓接觸的時間也隨之增加。因為表面張力的緣故，化學制劑有移動到晶圓正面的趨勢，因此化學制劑相對的接觸時間亦隨之增加，

意謂移動會延續更長的時間，也就是進一步往晶圓中央移動。蝕刻時間亦觀察出類似的現象，但沒有比旋轉速度要來得明顯。在觀察的范圍與化學制劑中，

如同我們的預測，晶圓移動與N2流速對于邊緣偏移區域的影響程度較不明顯。在這個實驗中，HF流速與HF是固定不變，因此沒有測試相對的效應。

佳狀況：圖五顯示在一個晶圓邊緣上12個連續等距位置所拍下的光學顯微鏡影像。圖中亦顯示制程條件，這些條件是從DOE分析所得到的佳狀態，

在這里代表佳方法BKM。這些設定對映至均勻邊緣偏移0.7±0.2 mm(我們的目標為：0.7±0.3 mm)。這些在有進行晶圓移動與沒有進行晶圓移動的條件，在均勻的消除薄膜制程中都是必要的因素。

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