本文標題："銀是目前金屬中電阻率低的-電子顯微鏡簡介"

“10奈米以下內連結導線技術與挑戰”主要探討10奈米以下內連結導線材料與技術包含光連結相關技術。

銀是目前所知金屬中電阻率低的(1.59 mW-cm)，相較于銅(1.67 mW-cm) 稍具優勢，且銀的抗電致遷移能力與銅相當，

主要是銀在矽跟二氧化矽的高溫擴散行為較銅低幾個數量級之多，這特性使得銀比銅用在未來小尺寸栓塞填充時的疑慮更低、更具潛力，

可取代目前主流導電材料：鎢(W，tungsten)，成為栓塞的主要技術。

“材料楊氏系數對NMOS電晶體元件電性的影響”主要探討材料楊氏系數來強化應變矽功效的方法，

以張應力CESL應用于高楊氏系數的間隙壁材料時，確實比低楊氏系數的間隙壁材料更能提高所誘發元件通道張應力的效果，

并獲得實驗證實。在同樣拉伸應力CESL于90奈米NMOS的驗證實驗，對高楊氏系數的氮化矽間隙壁材料確實比低楊氏系數的二氧化矽間隙壁材料，

會有增強元件汲極驅動電流(ID,sat)的效果。而元件應力模擬結果顯示間隙壁的楊氏系數亦有同樣應力加強效應，

但材料波松比對于應力傳輸效應并不會有明顯貢獻，特別是對複合間隙壁材料應用于閘極長度越小，低楊氏系數的間隙壁材料產生應力緩衝現象則會變得越明顯。

“奈米半導體材料技術：描繪你我未來的生活”主要探討矽(Si)奈米線生醫感測元件，在疾病檢測上的應用，

原理是利用矽奈米線的表面效應，可以把奈米線表面上微小的生物訊號轉化成為可分辨的電訊號，未來也可以應用在生醫電子系統方面。

另外，也介紹新式氧化鋅(ZnO)奈米材料在能源轉換元件及發光元件上的應用成果，氧化鋅材料具備壓電特性及良好的發光特性，

介紹奈米發電機的基本雛形以及奈米LED的相關研究成果。

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