本文標(biāo)題："增加電極容積，提高傳導(dǎo)率-金屬研究顯微鏡"

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增加電極容積，提高傳導(dǎo)率-金屬研究顯微鏡

硅晶太陽(yáng)能芯片于傳統(tǒng)電極涂布時(shí)為單層涂布，電極寬度需要較寬，
以便獲得足夠之截面積，提供電流通過。然而，為了改善現(xiàn)有制程，提高
太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效能，因而開始發(fā)展新型的電池制程，將電極寬度變
窄，以便增加硅晶涂布的面積，但是電極截面積需要保持不變，甚至增加，
以便維持相同或更多電流通過。其方式為將原本的單次涂布增

加為兩次涂布，以增加電極容積，提高傳導(dǎo)率。但由于兩次涂
布會(huì)產(chǎn)生輪廓對(duì)位誤差，超出允許的誤差過大，因而需要發(fā)展新的線上檢
測(cè)與誤差補(bǔ)償技術(shù)，以便降低兩次涂布之誤差。
本研究的目的為開發(fā)硅晶太陽(yáng)能芯片制程中，兩次電極涂布之對(duì)位誤
差補(bǔ)償技術(shù)，并配合資料庫(kù)系統(tǒng)以方便存取資料。另外，針對(duì)實(shí)驗(yàn)精度進(jìn)
行分析與探討，
 

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