本文標題："精密小零件制作過程檢測立體顯微鏡廠商"
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非揮發(fā)性記憶體中快閃記憶體(Flash)占有相當大的市場，然隨著制程的微縮，其發(fā)展已經(jīng)面臨到了物理瓶頸，
故新式記憶體技術的研發(fā)就變得刻不容緩。其中電阻式記憶體(RRAM)又以制程簡單、
性能優(yōu)異以及相容于半導體制程等特性在眾多候選記憶體中異軍突起，
其元件尺寸即使微縮到奈米等級依然保有記憶體特性，再加上結(jié)構可以3D堆疊以及優(yōu)異的可靠度表現(xiàn)，
RRAM在新式非揮發(fā)性記憶體中將成為取代市場Flash的超級新星。
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